FET (Field Effect Transistor) atau sering disebut sebagai transistor efek medan mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.
Tag Archives: Mosfet
E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor FET)
E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor FET) adalah MOSFET tipe peningkatan yang terdiri dari E-MOSFET kanal-P dan E-MOSFET kanal-N. E-MOSFET kanal-P dan E-MOSFET kanal-N pada dasarnya sama, yang berbeda hanyalah polaritas pada pemberian biasnya saja. Continue reading E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor FET)
D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor FET)
D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor FET) terdiri atas kanal-N dan kanal-P. D-MOSFET merupakan MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) tipe pengosongan dan masih keluarga dari FET (field-effect transistor). Konstruksi dasar dari D-MOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar berikut :
Konstruksi D-MOSFET Kanal-N
Konstruksi D-MOSFET kanal-N Continue reading D-MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor FET)